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题名:
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纳米集成电路FinFET器件物理与模型 na mi ji cheng dian lu FinFET qi jian wu li yu mo xing / (美)萨马·K. 萨哈(Samar K. Saha)著 , 丁扣宝译 |
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ISBN:
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978-7-111-69481-6 价格： CNY119.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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13,238页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2022 |
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内容提要:
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本书主要内容有主流MOSFET在22nm节点以下由于短沟道效应所带来的缩小限制概述；基本半导体电子学和pn结工作原理；多栅MOS电容器系统的基本结构和工作原理；非平面CMOS工艺中的FinFET器件结构和工艺技术；FinFET基本理论；FinFET小尺寸效应；FinFET泄漏电流；FinFET寄生电阻和寄生电容；FinFET工艺、器件和电路设计面临的主要挑战；FinFET器件紧凑模型，系统讲解FinFET器件电子学，介绍FinFET器件的结构、工作原理和模型等。 |
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主题词:
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纳米材料 集成电路工艺 |
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中图分类法:
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TN405 版次： 5 |
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主要责任者:
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萨哈 sa ha 著 |
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次要责任者:
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丁扣宝 ding kou bao 译 |
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索书号:
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TN405/glg4468 |