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题名:
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垂直型GaN和SiC功率器件 [ 专著] chui zhi xing GaN he SiC gong lv qi jian / (日)望月和浩著 , 黄锋[等]译 |
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ISBN:
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978-7-111-70502-4 价格： CNY99.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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12,217页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2022 |
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内容提要:
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本书介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术。内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较，GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺、主要器件结构与特性，以及垂直型GaN和SiC功率器件的可靠性研究等。 |
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主题词:
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功率半导体器件 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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望月和浩 wang yue he hao 著 |
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次要责任者:
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黄锋 huang feng 译 |
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附注:
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机工电子 |
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索书号:
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TN303/glg0772 |