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题名:
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硅基高k氧化物锶硅界面缓冲层的研究 [ 专著] gui ji gao k yang hua wu si gui jie mian huan chong ceng de yan jiu / 杜文汉著 , |
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ISBN:
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978-7-5684-1030-4 价格： CNY35.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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123页 图 22cm |
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出版发行:
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出版地： 镇江 出版社： 江苏大学出版社 出版日期： 2018 |
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内容提要:
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本书借助STM这个可以提供原子尺度结构和电子态的有力工具，对Sr/Si体系进行了研究，主要分为以下3个部分：Si(100)衬底上的Sr/Si再构；Si(111)衬底上的Sr/Si再构；超薄SrTiO3膜的高温晶化。 |
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主题词:
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固体物理学 研究 |
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中图分类法:
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O48 版次： 5 |
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主要责任者:
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杜文汉 du wen han 著 |
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附注:
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由江苏高校品牌专业建设工程资助项目 “十三五”江苏省重点学科项目－电气工程重点建设学科、2016度江苏省高校重点实验室建设项目－特种电机研究与应用重点建设实验室、常州市智能感知与无人机应用技术研究重点实验室、常州市新能源材料国际联合实验室、常州工学院自然科学基金项目、江苏省产学研合作项目资助出版 |
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索书号:
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O48/glg4403 |