题名:
HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究   [ 专著] HVPE fa sheng zhang zi zhi cheng GaN dan jing ji qi xing zhi yan jiu / 田媛著 ,
ISBN:
978-7-5517-2274-2 价格: CNY48.00
语种:
chi
载体形态:
106页 图 26cm
出版发行:
出版地: 沈阳 出版社: 东北大学出版社 出版日期: 2019
内容提要:
本书分为八章,主要内容包括:绪论、V/Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响、采用低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶、在SiC的C面直接生长自支撑GaN单晶等。 
主题词:
单晶   晶体生长
中图分类法:
O782 版次: 5
主要责任者:
田媛 tian yuan 著
索书号:
O782/glg6042