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题名:
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基于氧化镓的超宽禁带半导体薄膜生长与表征 Ji Yu Yang Hua Zuo De Chao Kuan Jin Dai Ban Dao Ti Bao Mo Sheng Chang Yu Biao Zheng / 张法碧著 , |
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ISBN:
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978-7-5680-5903-9 价格： CNY48.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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158页 20cm |
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出版发行:
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出版地： 武汉 出版社： 华中科技大学出版社 出版日期： 2020 |
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内容提要:
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本书主要研究了新一带超宽禁带半导体材料—氧化镓的基本性质；全书从氧化镓的基本性质与国内外研究现状入手，详细论述了氧化镓生长质量的影响因素；论述了利用掺杂来氧化镓电导率调制的方法与机制；论述了分别利用氧化铟和氧化铝和氧化镓来形成合金从而调节其禁带宽度的方法与机制。 |
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主题词:
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半导体薄膜技术 研究 |
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中图分类法:
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TN304.055 版次： 5 |
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主要责任者:
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张法碧 Zhang Fa Bi 著 |
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索书号:
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TN304.05/glg1231 |